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Un nuovo metodo basato-TAV-effetto per le superfici di semiconduttori di analisi rapida è stata sviluppata Strashilov, Ivanov, che include la scansione della superficie studiato con un fascio di luce monocromatica e la rilevazione del segnale generato TAV.

L'analisi è stata qualitativa e comparativa, cioè solo la relativa distribuzione della concentrazione stati superficiali potrebbe monitorato. mostra un profilo di ampiezza TAV, ottenuto scansione la superficie a n placca tipo Si resistenza specifica Q.cm, nel mezzo che è stata creata una regione circolare con conduttività di tipo p.

La posizione p-zone chiaramente osservata in entrambe le direzioni orizzontale e verticale.

L'influenza le cariche intrappolate Tav all'interfaccia Si Sich è stato studiato al fine di estendere l'applicazione della spettroscopia TAV per i semiconduttori di caratterizzazione con elevata densità di difetti.

La compressione effetto stato elettronico è stato studiato e una soglia di pressione è stato osservato, sopra la quale diminuisce magnitudo TAV e un numero rilevante trappole da stress sono creati nell'interfaccia Si SiC.

Questa soglia determina i valori della tensione applicata per misure non distruttive Dovrebbero sotto della soglia. Poiché il metodo basato TAV-molto sensibile, può usato per i campioni di analisi ad alta resistività, che non può facilmente caratterizzati con altri metodi.

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Un esempio di questa applicazione la caratterizzazione dell'interfaccia ZnSeGaAs alta resistività eterostruttura spettroscopia singolo e doppio TAV. Il metodo usato per studiare la banda dell'interfaccia e l'impurità transizioni della eterostruttura a temperatura ambiente.

Dallo spettro TAV, compensato una banda di conduzione eV è stato l'effetto TAV potrebbe applicare per le superfici di modifica e l'analisi dei semiconduttori con proprietà gel kamagra che specifiche tramite assorbimento acustico ad onde stimolato un grande interesse applicativo.

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Il controllo senza contatto fornisce le condizioni per un monitoraggio continuo e o cessazione intime del processo.

Qualità Metodi di controllo basati campo elettromagnetico Matter interazioni Variazioni TAV ampiezza raggio laser la scansione della superficie di una zona di tipo p in un tipo n piatto Si. Curve A corrispondono uno spostamento raggio laser in direzione verticale Dipendenza Spectral l'attenuazione una sega e l'ampiezza TAV A lavori numero sono dedicati la dipendenza spettrale l'effetto TAV. Tali misurazioni potrebbero fornire informazioni sullo spettro conducibilità superficiale pure. I picchi nello spettro foto conducibilità superficie potrebbero attribuito transizioni elettroniche opticallyinduced che sono stati registrati anche altri metodi. Questi picchi utilizzato può anche derivare il valore dell'energia band gap in funzione della temperatura. Nei casi che richiedono informazioni più dettagliate, contemporaneamente ottenuto dipendenze spettrali caratteristici per diversi effetti acoustoelectric potrebbe usati. Tali esperimenti vengono eseguiti per CdS campioni in cui dipendenze il coefficiente fine licenza viagra di attenuazione è possibile comprare il viagra senza ricetta finasteride tumore seno SAW, il segnale di convoluzione e la tensione acoustoelectric trasversale della lunghezza d'onda della luce incidente si studiano. Una caratteristica interessante il picco alla lunghezza d'onda eV, che è stato assegnato l'assorbimento intrinseco bordo il materiale e dà l'energia band gap. L'esperimento ha dimostrato che la trasversale effetto più sensibile dopo quanto tempo funziona il viagra del attenuazione SAW e il segnale convoluzione. Il rilassamento l'effetto acoustoelectric trasversale è stata studiata in un numero di giornali come tecnica potenziale per le proprietà caratterizzazione dei semiconduttori. A dipendenze combinazione di rilassamento e le indagini spettrali è stato usato anche da fornisce alcuni ulteriori possibilità viagra uso personale per l'analisi. Ha stabilito che la lunghezza d'onda della luce incidente influenza fortemente l'effetto trasversale e provoca un Le posizioni attenuazione SAW i minimi caratteristica spettrale dipendenze il tempo di rilassamento e le posizioni di punta in A-dipendenze coincidere. Una trama l'ampiezza TAV per un epitassiali GaAs strato in funzione della lunghezza d'onda della luce incidente, così come lo spettro attenuazione SAW a causa dell'interazione acoustoelectric sono presentati nei due spettri presentano molte caratteristiche identiche, che una prova per la natura fisica comune la loro origine.


 
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